中科院微电子研究所在 a-IGZO 晶体管领域取得重要进展，有助提升芯片集成密度
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近日，中科院微电子钻研所正在非晶铟镓锌氧化物（a-IGZO）晶体管规模得到重要停顿。据悉，a-IGZO 被视为真现高密度三维集成的最佳候选沟道资料之一。三维集成技术的素量是为进步晶体管正在芯片上的集成密度。
近日，中科院微电子钻研所正在非晶铟镓锌氧化物（a-IGZO）晶体管规模得到重要停顿。据悉，a-IGZO 被视为真现高密度三维集成的最佳候选沟道资料之一。三维集成技术的素量是为进步晶体管正在芯片上的集成密度。
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